分子束外延薄膜用超高純臭氧系統(tǒng)介紹
主要配件
配備３套低溫蒸發(fā)源（１００～１１００℃），控溫精度±０．１℃，坩堝容量１０ｃｃ 配套２套中溫蒸發(fā)源（３００～１５００℃），控溫精度±０．１℃，坩堝容量１０ｃｃ 配備１５ＫｅＶ高能電子衍射系統(tǒng)和圖像采集ＣＣＤ 配備射頻等離子源（４３３ＭＨｚ） 配備電子束蒸發(fā)源 配備液化型超高純臭氧系統(tǒng)
主要參數(shù)
適用１英寸及以下襯底； 襯底加熱可達９５０℃；
儀器介紹
| 儀器名稱（中文／英文） | 分子束外延薄膜制備系統(tǒng)（ＭＢＥ） Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ |
| 規(guī)格型號 | 定制 |
| 儀器功能介紹 | 可外延生長Ｐｔ， Ａｕ， Ｐｄ等金屬單晶薄膜，Ｇａ２Ｏ３， ＩＴＯ， ＴｉＯ２等氧化物半導(dǎo)體薄膜以及ＧａＮ， ＩｎＮ等半導(dǎo)體薄膜，用于二維材料、量子器件、超導(dǎo)、半導(dǎo)體、納米器件、光學(xué)及其他材料薄膜沉積研發(fā) |
| 性能指標 | １、適用１英寸及以下襯底； ２、襯底加熱可達９５０℃； ３、配備３套低溫蒸發(fā)源（１００～１１００℃），控溫精度±０．１℃，坩堝容量１０ｃｃ ４、配套２套中溫蒸發(fā)源（３００～１５００℃），控溫精度±０．１℃，坩堝容量１０ｃｃ ５、腔體本底真空優(yōu)于５ｘ１０－１０ｍｂａｒ（完全烘烤后） |
| 樣品要求 | 樣片直徑應(yīng)為１英寸以下的晶圓或不規(guī)則碎片； |
| 儀器說明 | １、配備１５ＫｅＶ高能電子衍射系統(tǒng)和圖像采集ＣＣＤ，能夠檢測薄膜生長，實現(xiàn)原子層級精準控制，電子束光斑大小＜７０μｍ，很大電子束束流３４０μＡ； ２、配備射頻等離子源（４３３ＭＨｚ），可實現(xiàn)氧、氮等離子體的產(chǎn)生； ３、配備電子束蒸發(fā)源：Ｍａｘ高壓是２ｋＶ，加熱絲燈絲電流Ｍａｘ４．５Ａ，束流穩(wěn)定性＜０．０１Ａ／ｓ＝０．２層／ｍｉｎ； ４、配備液化型超高純臭氧系統(tǒng)，液化池出口臭氧濃度＞９９．５％，很大臭氧濃度１５％ |
